Дорожная карта по созданию российских установок ультрафиолетовой литографии

Российский Институт физики микроструктур Российской академии наук разработал дорожную карту, касающуюся создания отечественных установок для экстремальной ультрафиолетовой литографии. Предполагается, что первая высокотехнологичная система, способная производить чипы и однокристальные системы с техпроцессом 10 нм и менее, будет готова примерно через десять лет. В отличие от литографов ASML, новые российские машины будут использовать уникальные технологии, включая гибридные твердотельные лазеры и источники света на основе ксеноновой плазмы. Смена олова на ксенон позволит уменьшить загрязнение фотошаблонов, что существенно снизит расходы на обслуживание. Дорожная карта делится на три ключевых этапа: первый — создание литографа для 40 нм (2026-2028); второй — разработка сканера для 14 нм (2029-2032); третий — система для чипов менее 10 нм (2033-2036). Каждый этап предполагает улучшение оптических систем и снижение стоимости.